SK하이닉스는 HBM 패키지 내부에 냉각 요소인 ‘ICE(Integrated Cooling Elements)’를 내재한 ‘iHBM’ 기술을 공개했다고 밝혔다. 해당 기술은 전기가 통하지 않으면서 열 전도가 높은 실리콘 소재를 활용해 패키지 내부에 추가적인 열 배출 경로를 형성하는 방식이다.
AI 연산 수요가 급증하면서 HBM은 적층 단수 확대와 고속화를 통해 성능을 높여왔지만, 동시에 발열 증가 문제가 함께 제기돼 왔다. 이에 따라 HBM과 GPU를 연결하는 D2D PHY 구간의 발열 밀도를 효과적으로 제어하는 기술이 차세대 경쟁력의 핵심으로 부상하고 있다.
iHBM은 이러한 문제를 구조적으로 해결한 것이 특징이다. 기존 HBM이 코어 다이를 거쳐 열을 외부로 전달하는 간접적인 방식을 사용한 것과 달리, iHBM은 발열이 집중되는 D2D PHY 영역 내부에 열 제어 소자를 배치했다. 이를 통해 열이 빠르게 배출될 수 있는 전용 경로를 형성했으며, 결과적으로 열저항을 기존 대비 낮추고 고온 및 고부하 환경에서도 안정적인 동작을 유지할 수 있도록 했다.
양산 측면에서도 기존 공정을 활용해 경쟁력을 확보했다. 시장에서 검증된 Advanced MR-MUF 기반 WLP 공정을 적용해 대량 생산이 가능하며, 고객사의 기존 SiP 환경과의 설계 호환성도 높였다. 이에 따라 별도의 큰 설계 변경 없이 적용이 가능해 도입 부담을 줄였다는 설명이다.
SK하이닉스는 해당 기술을 HBM5 등 차세대 제품부터 적용할 계획이다. 이를 통해 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터 등 초고집적 환경에서 요구되는 열 관리 수준을 충족하고, 시스템 안정성과 운영 효율을 높인다는 방침이다.
이강욱 SK하이닉스 부사장은 “iHBM은 메모리 설계 역량과 첨단 패키징 기술을 결합해 개발한 발열 최소화를 위한 최적의 설루션”이라며 “AI 환경에서 고객이 필요로 하는 가치를 선제적으로 제공해 메모리 리더십을 강화하겠다”고 밝혔다.
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