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최종편집 : 2026-08-24 16:41 (월)
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혁신산업

삼성전자, 0.65mm LPDDR5X D램 양산...업계 최소 두께

12나노급 LPDDR D램을 4단 적층 두께 9% 줄여...열 저항 21.2% 개선

삼성전자가 영산에 들어간 12나노급 LPDDR5X D램 제품 이미지. 사진=삼성전자
삼성전자가 영산에 들어간 12나노급 LPDDR5X D램 제품 이미지. 사진=삼성전자

삼성전자가 12나노급 LPDDR D램을 4단으로 쌓아올려 0.65mm LPDDR5X D램 양산에 들어간다. 글로벌 메모리업체 중 최소 두께다.

삼성전자는이전 세대 제품 대비 두께를 약 9% 줄인 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇은 LPDDR5X D램 생산에 착수했다고 6일 밝혔다.
삼성이 패키지 기술, 패키지 회로 기판 및 회로 보호재(EMC) 기술 등의 최적화를 통해 구현한 이 제품은 두께가 줄어든만큼 열 저항도 약 21.2% 개선됐다.
삼성은 패키지 공정 중 하나인 백랩(Back-lap), 즉 웨이퍼 뒷면을 연마해 두께를 얇게 만드는 공정 기술을 극대화해 웨이퍼를 최대한 얇게 만들어 최소 두께 패키지를 구현했다고 설명했다.
이 제품은 얇아진 두께만큼 추가로 여유 공간 확보를 통해 원활한 공기 흐름이 유도되고, 기기 내부 온도 제어에 도움을 줄 수 있다.
일반적으로 높은 성능을 필요로 하는 온디바이스AI는 발열로 인해 기기 온도가 일정 구간을 넘기면 성능을 제한하는 온도 제어 기능이 작동한다.
이 기능은 기기가 지나치게 과열될 때 기기 손상을 막고자 클럭과 전압을 강제적으로 낮추는 등의 제어를 통해 발열을 줄이는 것이다.
삼성 12나노급 LPDDR5X D램 제품 이미지. 사진=삼성전자
삼성 12나노급 LPDDR5X D램 제품 이미지. 사진=삼성전자

이 제품을 탑재하면 발열로 인해 해당 기능이 작동하는 시간을 최대한 늦출 수 있어 속도, 화면 밝기 저하 등의 기기 성능 감소를 최소화할 수 있다.

삼성은 향후 6단 구조 기반 24GB, 8단 구조 32GB 모듈도 가장 얇은 LPDDR D램 패키지로 개발해 온디바이스AI 시대 고객의 요구에 최적화된 솔루션을 지속적으로ㅛ 공급할 예정이다.
배용철 메모리사업부 상품기획실장(부사장)은 "고성능 온디바이스AI 수요가 증가함에 따라 LPDDR D램의 성능뿐만 아니라 온도 제어 개선 역량 또한 중요해졌다"며 "기존 제품 대비 두께가 얇은 저전력 D램을 지속적으로 개발하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 최적화된 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다.

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